夜了醉了

韩国海力士/现代（Hynix）：

　以现代HY5PS12821E FP-Y5为例，HY代表现代，5P代表DDR2内存，S代表1.8V工作电压，12代表芯片容量为512Mb（56为256Mb，1G为1Gb），8代表位宽，2代表逻辑Bank数量，1代表接口类型为SSTL_2，E代表版本号，F代表封装类型为FBGA，P代表无铅，Y5代表速度为DDR2-667·CL=5（S6为DDR2-800·CL=6，S5为DDR2-800·CL=5，Y4为DDR2-667·CL=4）。

日本尔必达（ELPIDA）DDR2内存芯片

　　以尔必达E2508AB-GE-E为例，E代表DDR2内存，25代表芯片容量为256Mb（51为512Mb，11为1Gb），08代表位宽，A代表1.8V工作电压，B代表内核版本，GE代表DDR2-800·CL=5（6C代表DDR2-667·CL=4，6E代表DDR2-667·CL=5），E代表无铅。


德国奇梦达（Qimonda）DDR2内存芯片


　　奇梦达就是原来的英飞凌，以奇梦达HYB18T512800AF37为例，HYB代表奇梦达，18代表工作电压为1.8V（25为2.5V），T代表DDR2内存，512代表芯片容量为512Mb（1G为1Gb，256为256Mb），80代表位宽，0代表产品系列，A代表版本号，F代表FBGA封装，37运行频率为DDR2-533（3为DDR2-667）。


美国镁光（Micron）DDR2内存芯片

　　　Micron DDR2内存颗粒主要分为早期的大D9（Fat D9）系列和现在的小D9系列。大D9采用的是110nm的工艺，芯片尺寸看起来偏胖。大D9芯片的独到之处并不在于它可以提升到很高的频率，更重要的是它在高频率下的超低延迟参数。随着Micron转换了生产工艺，大D9颗粒早已经停产，取代它的是小D9芯片，比起大D9制造成本更低，超频能力也是非常强悍。

    （镁光）小D9芯片系列中当属D9GKX、D9GMH和D9GCT最好超，继承了大D9的在高电压下的高频率以及低时序的传统特性。其中又以D9GKX和D9GMH比较出众，默认电压超频D9GKX小幅领先，但是D9GMH可以工作在2.6V甚至2.8V的电压下。

     镁光DDR2内存芯片编号非常特别，封装上的编码并不是正规编号，而是一个特定编码，即使在官方网站上也不容易查到详细信息，因此查询起来非常费劲。以6ND22 D9GMH芯片为例，6ND22中的“6”代表06年生产，“N”代表一年中的奇数周（M则代表偶数周）。D9GMH是镁光早期DDR2-667芯片，当然由于镁光颗粒超频性能非常好，经常被模组厂拿来超频后当DDR2-800/ DDR2-1066卖。

    镁光D9HNL也是DDR2-667型号，不过颗粒采用70nm工艺，适合做单条2GB规格，但超频性能不如D9GMH。镁光D9GKX是默认DDR2-800频率的型号，CL延迟参数为5-5-5。